Mikroelektronika próżniowa jest dziedziną nauki i techniki zajmującą się projektowaniem, wytwarzaniem i zastosowaniem mikrourządzeń wykorzystujących bezkolizyjny, balistyczny ruch elektronów emitowanych polowo w przestrzeni, najczęściej w próżni. Dziedzina ta rozwinęła się na pograniczu trzech nowoczesnych technologii, tzn. technologii próżniowych, mikroelektronicznych i mikromechanicznych. Największe ostatnie osiągnięcia elektroniki próżniowej dotyczą rozwoju badań materiałowych i technologicznych powiązanych z nanotechnologią. Do najbardziej spektakularnych zastosowań można zaliczyć tzw. źródła elektronów swobodnych o częstotliwości pracy w zakresie teraherców, źródła elektronów wysokich mocy, mikrosilniki jonowe, nanosatelity i mikrostatki kosmiczne, planarne tomografy rentgenowskie, płaskie wielkoobrazowe ekrany telewizyjne, przełączniki wysokich mocy dla energetyki, czy wreszcie kilka różnych czujników wielkości fizycznych i chemicznych. W pewnej mierze, proste urządzenia mikroelektroniki próżniowej nawiązują w swej budowie do znanych od zarania elektroniki lamp elektronowych.
Jak wspomniano, technologia urządzeń mikroelektroniki próżniowej wykorzystuje techniki mikroelektroniczne i mikromechaniczne. Dlatego urządzenia te są klasyfikowane w grupie przestrzennych urządzeń mikroelektronicznych, w których przynajmniej jeden z wymiarów charakteryzujących ich budowę leży w zakresie mikrometrów. W ostatnich latach postęp w rozwoju konstrukcji tych urządzeń spowodował, że w niektórych rozwiązaniach wymiary charakterystyczne leżą w zakresie nanometrów. W ujęciu historycznym za datę ?powstania" mikroelektroniki próżniowej przyjmuje się rok 1988, w którym zorganizowano pierwszą światową konferencję naukową poświęconą tej dziedzinie (International Vacuum Microelectronics Conference, Williamsburg, Virginia, USA).

Spis treści:

Spis najważniejszych akronimów
Spis oznaczeń

Wstęp

1. Wprowadzenie
1.1. Podstawy teoretyczne mikroelektroniki próżniowej
1.2. Rys historyczny rozwoju mikroelektroniki próżniowej
1.3. Systematyka emiterów polowych
1.4. Podsumowanie
Literatura

2. Krzemowe mikroemitery polowe
2.1. Mikroemitery krzemowe
2.1.1. Trawienie mokre izotropowe
2.1.2. Ostrzenie emiterów krzemowych
2.1.3. Trawienie suche izotropowe
2.1.3.1. Trawienie w plazmie SF6
2.1.3.2. Trawienie w plazmie SF6 + 02
2.1.3.3. Trawienie w plazmie SF6 + CI2
2.1.4. Łączone techniki formowania mikroemiterów
2.2. Zastosowanie matryc mikroemiterów krzemowych w polowych źródłach elektronów
2.2.1. Właściwości emisyjne mikroemiterów krzemowych pokrytych warstwą metaliczną
2.2.2. Właściwości emisyjne mikroemiterów krzemowych z bramką metaliczną
2.3. Zastosowanie mikroostrzy krzemowych w badaniach substancji biochemicznych
2.4. Podsumowanie
Literatura

3. Mikroemitery polowe typu mold z węglika krzemu
3.1. Technika repliki krzemowej - przegląd rozwiązań
3.2. Wybrane właściwości i zastosowania węglika krzemu
3.2.1. Lity węglik krzemu
3.2.2. Cienkie warstwy węglika krzemu
3.3. Procedury technologiczne dla techniki mold
3.3.1. Mokre anizotropowe trawienie krzemu
3.3.1.1. Formowanie wgłębień
3.3.1.2. Usuwanie podłoża krzemowego
3.3.2. Otrzymywanie i charakteryzacja warstw węglika krzemu napylanych magnetronowo
3.3.3. Bonding anodowy Si/Si02/SiC:szkło
3.3.4. Dyfuzja stopująca
3.4. Matryce mikroemiterów z SiC:B
3.4.1. Matryca FEA z SiC:B
3.4.2. Matryca GFEA z SiC:B z bramką metaliczną
3.4.3. Matryca GFEA SiC:B z bramką krzemową
3.4.3.1. Zintegrowana katoda polowa
3.4.3.2. Katoda polowa z bramką krzemową
3.4.4. Matryca FEA z SiC:B z pokryciem nanorurkami węglowymi
3.4.5. Matryca FEA z SiC:B z nanootworami
3.5. Podsumowanie
Literatura

4. Urządzenia z mikro- i nanoemiterami - rozwiązania perspektywiczne
4.1. Mikroskop matrycowy SOMOC (technika quasi-mold)
4.2. Biochip (Lab-on-a-chip) z adresowanym źródłem światła dla mikrofluorometrü 167
4.3. Podsumowanie
Literatura

5. Wnioski końcowe i podsumowanie